紅外光譜分析法在硅中氧碳含量測量上的運用

　　單晶硅原材料能夠用作生產(chǎn)制造太陽能電池板、集成電路工藝等，因為其主要用途的多樣性規(guī)定其純凈度超過99.9999% 乃至更高。在單晶硅加工過程中由原材料及方式 等要素在所難免的導(dǎo)入了碳、氧等殘渣，危害了單晶硅的特性。因而需對單晶硅材料中的氧碳含量進行控制。

　　依據(jù)G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，紅外光譜法可以在對單晶硅中代位碳和間隙氧進行定性的同時進行定量測定,具有快速、方便、準(zhǔn)確的優(yōu)點。利用硅中代位碳原子和間隙氧原子分別在波數(shù)607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根據(jù)吸收峰的吸收系數(shù)來確定代位碳原子濃度和間隙氧原子的濃度。

　　1、采用硅中氧碳含量測試軟件依次進行如下操作：背景掃描→輸入?yún)⒈群穸?rarr;掃描參比樣品→輸入樣品厚度→掃描樣品→記錄數(shù)據(jù);

　　2、重復(fù)樣品掃描2次并記錄數(shù)據(jù)，得到如下圖所示結(jié)果。

　　3、測試數(shù)據(jù)

　　這也就證明了氧碳含量測試工具能夠便捷、迅速的對單晶硅原材料中的代位氧原子、空隙氧原子開展定量分析測量。